化合物半导体展暨2025中国国际半导体博览会将于2025年11月在北京亦创国际会展中心以“化合物半导体”作为核心单元，与综合性半导体博览会同址同期举行。本届展会为期三天，面向产业链全环节，聚焦砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、金刚石（Diamond）、氧化镓（Ga₂O₃）六大材料体系及其在航空航天、石油勘探、宽带通讯、汽车制造、智能电网等关键场景的应用验证与商业化路径。
一、定位与结构
主办方将展馆划分为“材料-晶圆-器件-模组-系统”五级递进式展区，真实还原一条化合物半导体从晶体生长到终端集成的完整技术链。每个展区设置“性能-环境-寿命”三轴测试岛，可现场完成-55 ℃~+300 ℃温循、10 kV浪涌、10¹⁵ cm⁻³中子辐照等极端工况演示。
二、核心展示内容
材料端
砷化镓：8英寸VB/VGF双工艺晶圆同台对比，位错密度8 MV/cm数据现场复测验证。
器件与模组端
航空航天：磷化铟基94 GHz T/R组件MTBF>100 000 h报告现场签字发布。
石油勘探：碳化硅MOSFET+SiC SBD智能功率模块耐温225 ℃，连续运行1000 h无漂移。
宽带通讯：氮化镓毫米波功放模组，饱和功率65 dBm，线性增益25 dB，面向D-band回传。
汽车制造：全碳化硅电驱逆变器功率密度50 kW/L，效率峰值99.2%，已通过AEC-Q101 Grade 0认证。
智能电网：氧化镓横向功率器件，击穿电压>3 kV，导通电阻480家（其中材料企业28%、晶圆厂12%、IDM/Fabless 25%、设备与检测20%、应用系统15%）
观众：预登记>25 000人，国际观众占比11%
技术报告：>120场