真空镀膜用 铪粒 (Hf Pellets)
一、核心规格
- 形态：圆柱颗粒（φ3×3mm、φ5×5mm、6×6mm）、碎粒
- 主流纯度：
- 99.9% (3N)：工业级、耐高温涂层
- 99.95% (3N5)：半导体/光学主流
- 99.99% (4N)：超高纯（芯片、HfO₂高k膜）
- 关键特性：
- 熔点极高：2233℃（远高于Ti、Ni、Al）
- 密度大：13.31 g/cm³
- 低氧、低锆、低杂质（Hf与Zr共生，必须控Zr含量）
- 化学稳定性极强，耐高温、耐腐蚀
二、主要用途（真空镀膜）
1. 半导体高k栅介质（HfO₂）
- 蒸发铪粒 → 沉积氧化铪 (HfO₂) 薄膜
- 替代传统SiO₂，用于先进芯片、DRAM、3D NAND
- 作用：降低漏电流、提升性能、缩小制程
2. 高端光学薄膜
- 制备紫外/红外高反膜、滤光片、增透膜、激光镜片
- 膜层致密、稳定、耐刮、耐高温
3. 高温阻挡层 / 扩散阻挡层
- 防止Cu、Ag、Au等金属原子扩散
- 用于柔性屏、OLED、光伏、半导体金属布线
4. 极端环境防护涂层
- 航空航天、发动机耐高温、抗氧化、抗烧蚀涂层
三、镀膜工艺要点
- 蒸发方式：电子束 (EB-PVD)（熔点太高，电阻舟难蒸）
- 坩埚：钨坩埚、钼坩埚、石墨坩埚
- 真空要求：≤10⁻⁴ Pa（高真空防氧化）
- 特点：膜层致密度极高、附着力强、高温稳定、耐酸碱