台达UPS电源GES-EH15K塔式15KVA详细简介
台达GES-EH15K 高频稳压UPS电源 15KVA 12KW 在线式不连续电源
品牌:Delta/台达，型号:EH15K
技术参数
控制方式：微处置控制技术
输入电压：单相220V±15%，50HZ 三相380V±15%，50HZ
额定容量：单相10A~450A（2.2KVA~100KVA）
三相3×10A~3×760A(6.6KVA~5.5KVA)
节能效果:工业企业8%~15%，商业企业10%~20%，中文显现界面,可编辑各种运转参数
波形畸变:无
旁路切换:有手动或自动旁路切换不时流
绝缘电阻:10MΩ
绝缘耐压：3000V AC 60秒无闪路
工作环境：温度-20~+40°C，温度≤93%，无腐蚀合体及导电粉尘
电磁兼容性：结导骚扰：
辐射骚扰：契合IEC61000国际规范
维护功用：欠压、过载、缺相、防雷维护等
可提供规范RS232/485规范接口，便当与计算机衔接，为功用效率管理提供技术平台。
当励磁电流为-im（t3）时，关断M2.由于钳位电容Cr和结电容C1的存在，两端电压不能突变，因而M2零电压关断。开关模态6M2关断后，励磁电流流过C1，C1开端放电，励磁电流继续反向增加。开关模态7结电容C1电压有继续降落的趋向，原边电压为正，副边绕组电压也变为正，M3开通，M4继续导通。由于原边电流太小，不能提供负载电流。因而同步整流管同时导通，副边电压钳位至零，原边电压也为零，变压器的励磁电流坚持不变。t7时辰，开端下一个周期。
变换器中集成磁件的推导与剖析依据变换器的工作原理可知，变压器的原边绕组电压Vab，副边绕组电压Vcd和绕组电压Vce的脉宽相同、一直同向，只是电压比值随输入电压而变化
性能特性：
●自主专利的MMBM电池管理技术
自主产权的智能化多形式电池管理系统，综合了传统恒压充电、恒流充电、二阶段充电等充电方式的优点，采用微处置器控制技术对电池停止多形式管理，进步UPS电源的充电效能，延长电池的运用寿命。
完善的电池管理功用
·无风险双形式电池在线测试功用
·充电电压温度补偿功用
·电池放电终止电压智能调理功用
·电池极性反接维护和告警
·电池定期自动放电激活
·自动设定充电电流功用
·重要操作密码锁定
集成磁件的磁路剖析令51，52，53所经过磁路的磁阻分别为R1，R2，R3，依据文献<3>和<5>树立磁件等效电路的办法对所示的磁件停止推导。在磁件等效电路中，该电路可用于磁件的仿真研讨。磁件的等效电路推导如所示。集成磁件绕组排列基于制造工艺复杂水平的缘由，薄膜集成磁件的变压器绕组构造采用基于普通变压器的绕组构造<7-10>.同样，绕组也采用PCB<6>，PCB的绕组构造如示。
该集成磁件是一个3绕组的磁件，其中变压器原边、副边和电感的匝数比为NPBNSBNL.为了降低PCB绕组制造工艺的难度，原边绕组和副边绕组设计为各4层，电感绕组设计为8层，变压器原、副边绕组每层均有2匝扁平状铜箔线圈，如（a）、（b）所示；电感绕组每层均有1匝扁平状铜箔线圈如（c）所示。
1.死心为硅钢片条料卷制而成的无接缝不分级的接近纯圆形截面。铁轭，死心柱联合为圆角，死心为封锁形。
2.高、低压线圈直接绕在死心上，两线圈同心度好，抗短路性才能好。
3.由于死心构造特殊，又呈由晶态取向优质冷轧硅钢片卷制经退火而成，使S11-M.R变压器与同容量S9型相比空载损耗降落30%,空载电流降落70%,嘈声降落8分贝左右。
4.取消储油柜。采用波纹板油箱，温度惹起的油体积变化由波纹片的弹性调理使变压器油与空气隔绝延长运用奉命。
5.采用波纹油箱温升占空中积小，外形美观。
6.死心加工全部机械化,减轻劳动强度,使产质量量进步,质量稳定。
这样设计能够使制造薄膜磁件时填充绝缘层变得相对容易，也有利于磁件在工作中所受应力的左右均衡，使磁件构造相对稳定。原边绕组的4层互相之间串联，共8匝；副边绕组的4层中每个构造相同的2层互相并联，然后串联，构成2匝的副边绕组；电感绕组的8层中每个构造相同的4层互相并联，然后串联，构成2匝的电感绕组。绕组之间经过/通孔0和/过孔0互相联合。这样就得到了变比为8B2B2的3绕组集成磁件。按照上述设计过程，就能够得到满足请求的集成磁件绕组排列构造，如所示。
但是，原先的等效模型以及参数的设计，都是按照EI型3柱磁芯来设计的，当磁芯变成4柱磁芯以后，为了使原先的推导和计算过程依然有效，必需保证磁件在等效变换前后满足一定条件。由于本集成磁件的磁芯采用磁导率十分大的新型磁性资料，所以，各个磁路磁阻主要由气隙大小决议，磁性资料自身磁阻远远小于气隙磁阻，所以，疏忽集成磁件磁芯的等效变换过程磁性资料自身的磁阻。（a）所示为原集成磁件的等效磁路，其中2号磁柱上没有绕组，其磁阻为R2；现将磁阻R2变为2个磁阻R21和R22并联，从而将2号磁柱等效为2个磁柱并联，如（b）所示；在（b）根底上将磁阻R21和R22所在的磁柱挪动到磁件两侧，等效磁路如（c）所示。
由以上剖析可知，在保证R2=R21//R22前提下，各绕组的励磁和耦合关系不会发作变化，在变换前后磁芯的作用是等效的，从而按照EI型三柱磁芯的参数的设计、公式推导和计算过程依然有效。由等效磁路（c）得出的四柱磁芯构造如所示。