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在2005年，一个制造厂（通常称为半导体工厂，常简称fab，指fabrication facility）建设费用要超过10亿美元，因为大部分操作是自动化的。
制造过程：芯片制作完整过程包括芯片设计、晶片制作、封装制作、测试等几个环节，其中晶片制作过程尤为的复杂。
首先是芯片设计，根据设计的需求，生成的“图样”芯片的原料晶圆，晶圆的成分是硅，硅是由石英沙所精练出来的，晶圆便是硅元素加以纯化（99.999%），接着是将这些纯硅制成硅晶棒，成为制造集成电路的石英半导体的材料，将其切片就是芯片制作具体所需要的晶圆。
晶圆越薄，生产的成本越低，但对工艺就要求的越高。
晶圆涂膜，晶圆涂膜能抵抗氧化以及耐温能力，其材料为光阻的一种。
晶圆光刻显影、蚀刻。
首先是在晶圆（或衬底）表面涂上一层光刻胶并烘干。
烘干后的晶圆被传送到光刻机里面。
光线透过一个掩模把掩模上的图形投影在晶圆表面的光刻胶上，实现曝光，激发光化学反应。
对曝光后的晶圆进行第二次烘烤，即所谓的曝光后烘烤，后烘烤使得光化学反应更充分。
*后，把显影液喷洒到晶圆表面的光刻胶上，对曝光图形显影。
显影后，掩模上的图形就被存留在了光刻胶上。
涂胶、烘烤和显影都是在匀胶显影机中完成的，曝光是在光刻机中完成的。
匀胶显影机和光刻机一般都是联机作业的，晶圆通过机械手在各单元和机器之间传送。
整个曝光显影系统是封闭的，晶圆不直接暴露在周围环境中，以减少环境中有害成分对光刻胶和光化学反应的影响