MHB蓄电池MM50-12闽华铅酸电池12V50AH
MM中型密闭系列为我公司电池20小时率容量在28-260Ah之间的备用电源系列产品，高锡含量的Pb-Ca-Sn-Al四元合金以及添加4BS晶种的铅膏配方搭配特殊的固化工艺，使电池具备超长的使用寿命以及极小的自放电。精密的电池容量检验与电压检验配组，不论是在集中式大型机房还是分散式小型基站均能完美胜任。全密封免维护的结构设计，使用过程中无需任何维护与保养。
符合标准规范：
我公司已经通过IS09001质量管理体系认证.ISO14001环境管理体系认证及OHSAS18001职业健康完全卫生管理体系认证，产品符合GB/T19638及YD/T1970等相关中国与国际相关标准规范，全系列产品均符合UL认证规范要求，对于各种不断电型与紧急备用型电子设备均能很好的兼容。
根据防止动态性闩锁效应来确定电流量10M。 因而，也决定较大栅极源极工作电压VCSM。 只需不得超过该值，在外部电源电路出现了常见故障的情形下，lGBT从饱和状态导通状态变成变大情况，漏极电流量大概维持一定，可以操纵栅极工作电压来保持漏极电流量不增加，能够避免闩锁效应。 在这里状况下，为了防止超温造成机器设备毁坏，请尽快关掉lGBT。 比如，在栅极-源极工作电压VCS=10~15V的情形下，漏极电流量在5~10 V的范围之内可以比额定电压高4~10倍，在这样的情况下，反向偏置的VCS也可用作截至。 如果超过此限定，IGBT将毁坏。
IGBT的大容许漏极源极工作电压VOSM由器件里的PNP晶体三极管的击穿场强确定。 目前有抗压1200V以上器件。 针对商业器件，IGBT的高容许结温一般为150’(3360 )。 输出功率MOSFET的通断压力降随结温的升高明显提升，BT的通断压力降vos(on )从常温到大结温变化不大。 主要原因是IGBT的MOSFET的电流为正温度系数，PNP晶体三极管的电流为负温度系数。 两者的藕合使器件得到优良温度特性。 以目前飞利浦MG25N2S1 25A110V的IG-BT控制模块为例子，说明其实际特性和主要参数，给对该设备一无所知的读者留有定性和定量的印象。 表2.2列举了该模块的较大额定电流。 表2.3表明其各种各样电气设备特性。 在这里，图2.19(b )右图所示的符号是为了将IGBT的各电级的主要参数，即漏极变更为集电结，源极变更为发射极。