YUTTON蓄电池MF40-12详细说明报价大全
》紧装配工艺，内阻小，可进行3倍容量的放电电流放电3分钟（≤24Ah允许7分钟以上放电至终止电压）或6倍容量的放电电流放电5秒，电池无异常。
寿命长
》由于采用高纯原材料及长寿命配方、电池组一致性控制工艺，NP系列电池组正常浮充设计寿命可达7～10年（≥38Ah）。
电池组一致性好
》不计成本的保证电池组中的每一个电池具有相对一致的特性，确保在投入使用后长期的放电一致性和浮充一致性，不出现个别落后电池而拖垮整组电池。
①从源头的板栅、涂膏量的重量和厚度开始控制；
②总装前再逐片极板称重分级（≥38Ah的电池），确保每个单体中活性的量的相对一致性；
③定量注酸，四充三放化成制度，均衡电池性能；
④下线前对电池进行放电，进行容量和开路电压的一次配组；
⑤≥38Ah的电池出库前的静置期检测，经过7～15天的“时间考验"，出库时再检，能有效检出下线时难以检出的极个别疑虑电池；
⑥出库时依据电池的开路电压和内阻进行二次配组
1、安全性能好：正常使用下无电解液漏出，无电池膨胀及破裂。 电池放电性能好：放电电压平稳，放电平台平缓。
2、电池耐震动性好：完全充电状态的电池完全固定，以4mm的振幅，16.7HZ的频率震动1小时，无漏液，无电池膨胀及破裂，开路电压正常。4、耐冲击性好：完全充电状态的电池从20CM高处自然落至1CM厚的硬木板上3次无漏液，无电池膨胀及破裂，开路电压正常。
5、耐过放电性好：25摄氏度，完全充电状态的电池进行定电阻放电3星期（电阻只相当于该电池1CA放电要求的电阻），恢复容 量在75%以上.6、耐充电性好：25摄氏度，完全充电状态的电池0.1CA充电48小时，无漏液，无电池膨胀及破裂，开路电压正常，容量维持率在上 95%以.7、耐大电流性好：完全充电状态的电池2CA放电5分钟或10CA放电5秒钟。无导电部分熔断，无外观变形。8、高压缩玻璃棉吸液式(AGM)技术。9、内藏防爆装置，采用超声波焊接技术加强蓄电池的密闭性。详细参数:特点:
免维护无须补液 内阻小，大电流放电性能好
适应温度广(－35－45℃) 自放电小
使用寿命长(8－10年) 荷电出厂，使用方便
安全防爆 独特配方，深放电恢复性能好
无游离电解液，侧倒90度仍能使用应用范围：
⑴ 交换机 ⑺ 办公自动化系统
⑵ 电器设备、医疗设备及仪器仪表 ⑻ 无线电通讯系统
⑶ 计算机不间断电源 ⑼ 应急照明
⑷ 输变电站、开关控制和事故照明 ⑽ 便携式电器及采矿系统
UPS电源和普通的电池不一样，因为电池产品供电主要是直接使用直流电脑，比如笔记本上使用的电充是经过交流电转换成主流，然后充入电池内部存储，使用的时候是直接使用直流电。但UPS不同，UPS供电模式为先将交流电转换成直流，然后存储在储能设备中，但用的时候它又是将直流电转换成交流电直接供设备使用，不了解电源原理或者不熟悉电子产品的朋友可能不怎么了解，不过我们只要知道它不同于一般电池原理即可，但功能相似。
UPS电源工作原理
UPS不间断电源立即转入电池逆变状态;为防止市电来回切换，只有当市电恢复到170～270V时， UPS才转入市电逆变状态。市电频率的侦测与控制侦测市电频率的目的是作为逆变锁相的依据，通过调整逆变的过零点调整逆变相位，使在市电状态下的逆变输出与市电输入基本同频率、同相位。市电开机时，UPS侦测输入市电的频率作为逆变输出的频率;电池状态下开机时，逆变输出的频率以上次输出的频率来设定。
当市电正常时，执行锁相，逆变频率先追市电频率，频率相同后再追踪相位，通过变动逆变频率完成逆变和市电同相位。锁相后，逆变和市电的相位差小于3度，频率误差小于0.01Hz。当市电频率超出47～53Hz范围时，UPS不执行锁相，立即转入电池逆变状态，只有当市电频率回复到48～52Hz时，UPS再执行锁相，并转入市电逆变状态。
三角波发生器CPU送出的38.4kHz方波，经由运算放大器组成的二分频电路后，变成19.2kHz的方波，再经积分器积分成三角波。标准正弦波发生器CPU送出以128点平均分割的模仿正弦波，经过二阶低通滤波器滤波后，生成标准正弦波。PWM信号标准正弦波与逆变输出电压的正弦波反馈信号进行比较，其结果被三角波切割，生成PWM信号。逆变电压调整CPU每16ms读取一次逆变电压值，并与设定的电压值进行比较，当差值高于10V时，CPU立即调整标准正弦波，从而调整PWM信号，使输出电压相应加减5V，以缩小差值;当差值低于10V时，CPU累积差值，当累积值达到30V时，CPU调整标准正弦波，使输出电压相应加减2V。
CPU的A/D读取CPU每半周期读一次电池电压、正负BUS电压和机内温度，每隔8个标准正弦波点读一次市电电压、逆变电压和逆变电流（在每个周期开始，CPU变更读点的初始位置，使每隔8个标准正弦波点读一次，通过128个点的A/D读取达到扫描效果，读取值存入RAM内）。
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