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ROHM罗姆mosfet650V SCS206/208/210/212/215/220AJTLL 肖特基二极管元器件
型号: SCS206AJTLL
品牌: ROHM
批次: 2020+
报价: 面议
最小起订: 1
有效期至: 长期有效
发布时间: 2020-07-15 20:15
浏览次数: 205
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详细信息

SiC(碳化硅)肖特基二极管

SiC肖特基势垒二极管(SiC SBD)具有很小的总电荷(Qc),低开关损耗且高速开关工作。因此,它被广泛用于电源的PFC电路中。此外,与硅基快恢复二极管的trr(反向恢复时间)会随温度的升高而增加不同,碳化硅(SiC)器件可保持恒定的特性,从而改善了电路性能。制造商能够减小工业设备和消费类电子产品的尺寸,非常适合在功率因数校正电路和逆变器中使用。

SiC SBD用于提高电力转换系统的可靠性,例如电池充电,电动汽车和混合动力车的充电电路以及太阳能电池板。 此外,它还被用于X射线发生装置等高压设备

罗姆已发布的第3代SiC SBD的SCS3系列能够提供更大的浪涌电流容量,同时还能进一步降低第2代SBD的正向电压。

公司简介

源芯半导体有限公司专注于SiC功率元器件、SiC(碳化硅)MOSFET、SiC SBD肖特基势垒二极管、全SiC功率模块、及碳化硅周边IC等代理分销。授权代理品牌有:ROHM、CREE品牌代理与经销。我司位于中国电子元器件集散中心-深圳,团队有十一年的经验,我们有信心与您一起应对紧缺与计划各类采购任务,为我们共同长远的价值和共赢提供保障!企业宗旨:忠诚 责任 创造 共赢

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SIC降低功率耗损

     实现高速 低导通电阻

应用领域广泛:电动车及电池设备,电源逆变器,光伏,工业设备,新能源等

型号支持车载极性VDSS∣DPD (W)RDS(on)
TYP. (mΩ)
 Qg
 Typ.  (nC)
封装
  (AEC-Q101)  (Ch) (V) (A)(TC=25°C)  VGS=18vVGS=18v 驱动电压(V)
第2代 Sic MOSFET








SCH2080KE        -    N1200402628010618TO-247
SCT2080KE        -    N1200402638010618
SCT2080KEAHR        YES    N1200402648010618
SCT2160KE        -    N1200221651606218
SCT2160KEAHR       YES    N1200221651606218
SCT2280KE        -    N1200141082803518
SCT2280KEAHR       YES
1200141082803518
SCT2450KE        -    N120010854502718
SCT2450KEAHR       YES    N120010854502718
SCT2750NY        -    N17005.9577501718TO-268-2L
SCT2H12NY        -    N170044411501418
SCT2H12NZ        -
17003.73511501418   TO-3PFM
第3代 Sic MOSFET








SCT3017AL        -    N6501184271717218TO-247N
SCT3022AL        -    N650933392213318
SCT3030AL        -    N650702623010418
SCT3060AL        -    N65039165605818
SCT3080AL        -    N65030134804818
SCT3120AL        -    N650211031203818
SCT2120AF        -    N650291651206118TO-220AB
SCT3022KL        -    N1200954272217818TO-247N
SCT3030KL        -    N1200723393013118
SCT3040KL        -    N1200552624010718
SCT3080KL        -    N120031165806018
SCT3160KL        -    N1200171031604218

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